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薄膜衰减器

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一、特点

1.      TaN电阻材料,不水解、高可靠

2.      大功率承载能力

3.      低温度系数

4.      频率特性稳定

5.      可异形切割、可侧面金属化

二、应用

主要应用于微波集成电路模块,其应用主要有:降低信号电平、源与负载之间的匹配、元器件隔离保护等

三、产品命名规则

FA

0402

02

T

1R0

B

N

N

F

A


产品    

   代号

尺寸代码   

              *

厚度代码

电极材料

衰减值代码                                                           

公差代码

基板     代码

外形代码

包装形式

内部控制编码


电容量以dB(分贝)为单位,并用三个文字表示。最初两个文字表示电容的第一位和第二位有效数字。第三个文字表示接在有效数字后的零的个数。含有小数点时用R表示。


FA:          Film Attenuator

0101:0.01*0.01±0.001 ” (0.254*0.254mm±0.025)

01:0.254mm±0.05

T:TiW/Au

3R53.5dB

A:±0.05dB

N:氮化铝

N:无留边

F:Film

-


B:±0.10dB


0202:0.02*0.02±0.002 ” (0.508*0.508mm±0.05)

0R50.5dB

C:±0.25dB


D:±0.50dB

O:氧化铝

S:单面留边


0303:0.03*0.03±0.003 ” (0.762*0.762mm±0.076)

270=27dB

F:±1%


J:±5%

T:Taping


0402:0.04*0.02±0.002 ” (1.016*0.508mm±0.05)

02:0.508mm±0.05

N:TaN/TiW//Au


0604:0.06*0.04±0.004 ” (1.524*1.016mm±0.102)

03:0.762mm±0.05

S特殊材料

10010dB

K:±10%

B:氧化铍

D:双面留边


L:±15%


0804:0.08*0.04±0.004 ” (2.032*1.016mm±0.102)

M:±20%


四、示意图

1651051796747686.jpg

四、特性图表(参考数据,以实际产品为准):

3.png


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