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一、技术优势 高射频性能 1.TGV 相较于 Si 具有更好的微波性能，媲美 TCV 2.规格参数：TGV 通孔≥1.5μm，孔径≥10μm，深孔深宽≥10:1 高集成度 1. 可比拟硅基 TSV 的高集成度，较 TCV 高 2 个量级 2. 规格参数：TGV 通孔≥2.5μm，孔径≥10μm，深孔深宽≥10:1 热膨胀可调 0.3 - 12ppm/℃可调，灵活匹配基底材料热膨胀系数 低成本高效率 简化工艺并减小寄生电容，降低过孔的电干扰
二、技术突破 （1）发明了一种可光刻玻璃介电损耗控制方法。建立中和碱效应、压制效应和稳定效应与介电损耗的协同关系，实现了可光刻玻璃介电损耗有效减小。 （2）发明了超快激光精准诱导玻璃相变，实现超细孔径的玻璃通孔形成技术。玻璃最小孔径9μm，通孔密度最大250000 cm-2。 （3）突破传统通孔填充深径比限制，实现最大深径比达50:1的超高深径比玻璃通孔实心金属化，解决了信号连续性问题，攻克了TGV工程化难题。 三、荣誉资质
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